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我校首次获得国家集成电路布图设计登记授权

2019-05-22 22:20   来源:湖南师范大学新闻网   作者:科技处   点击:

(供稿 科技处)近日,我校物理与电子科学学院金湘亮教授、汪洋等研发的“一种增强型SCR双向ESD防护器件”(“抗万伏级静电保护器件”)获得国家集成电路布图设计登记授权证书(登记号:BS.195001753),这是我校首次获得国家知识产权局授权的集成电路布图设计登记证书。

该集成电路布图设计所研发的芯片级集成静电防护器件于2017年9月开始研发,2018年8月由国际知名集成电路代工厂代工,2018年10月出厂,经封装测试表明在人体模型(HBM)下抗静电强度高于55KV,从而在片上集成高泄放电流领域取得关键技术突破。该创新成果于2019年1月25日向国家知识产权局提出登记申请,2019年4月11日获得集成电路布图设计登记授权。

军事领域电子设备工作在雷电、电磁等恶劣环境下,产生的浪涌电压或尖峰电流造成芯片失效占到军用电子产品失效的38%以上。针对军用芯片出现的静电可靠性问题,我校金湘亮教授课题组进行攻关,研究了抗万伏级和快速钳位能力器件的电流泄放机理,研究了新型静电防护器件的结构、工艺与集成实现。共计设计器件8类96个,本设计是其中一类器件。研究成果除了申请国家集成电路布图设计登记授权证书之外,于2018年1月申请国家发明专利,于2019年3月获得发明专利号(ZL201810052911.7)。基于该项创新研究成果,金湘亮教授指导的硕士生汪洋牵头申报的“军用抗万伏级静电防护器件关键技术与集成研究”获得长沙市第十六届大学生科技创新创业大赛二等奖。该项目得到了国家自然科学基金、长沙市科技计划及学校潇湘学者特聘教授等项目经费支持。

此项登记证书是我校多年来重视国家知识产权培育与研发积累的研究成果,也是我校教师指导学生创新创业的标志性成果,科技创新激发和培育了学生的创新性思维,带动科研与教学的融合发展。近年来,我校高度重视知识产权工作,从经费投入、政策引导、职称评审等多方向予以大力支持。此次国家集成电路布图设计登记授权,标志着我校在科技创新和自主知识产权方面又迈出了重要一步。

编辑:彭鹤鸣

责编:张永涛

审核:蔡颂

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